堆积的纳米线持有三重百分比

使用分子级纳米线存储器单元的新型晶体管架构保持了不可或缺的数据存储的承诺。南加州大学和美国宇航局AMES研究中心的研究人员已经成功地测试了一个自组装的分子记忆装置,他们说具有持有40千兆位每平方厘米的潜力—密度远远超过硅的任何达到的密度。此外,USC Viterbi学校电气工程系的助理教授崇武周表示,由于自组装功能,这种超密集的内存装置可能比现在广泛应用于数码相机的硅闪存更便宜,“memory sticks”和其他应用程序。

从南加州大学:

堆积的纳米线持有三重百分比


科学家使用分子级纳米线存储器单元创建了一种新颖的晶体管架构。它承诺不可思议的数据存储。

使用分子级纳米线存储器单元的新型晶体管架构保持了不可或缺的数据存储的承诺。

南加州大学和美国宇航局AMES研究中心的研究人员已经成功地测试了一个自组装的分子记忆装置,他们说具有持有40千兆位每平方厘米的潜力—密度远远超过硅的任何达到的密度。

此外,USC Viterbi学校电气工程系的助理教授崇武周表示,由于自组装功能,这种超密集的内存装置可能比现在广泛应用于数码相机的硅闪存更便宜,“memory sticks”和其他应用程序。

根据Zhou和他的纸张在应用物理字母中描述了技术的纸张,密度通过纳米级(毫米)的尺寸来实现的建筑物的尺寸,

(十纳米为0.0000004英寸;平均细菌长约1000纳米;最小的已知病毒约20纳米长)。

USC / AMES系统仍然更具紧凑,因为每个存储器单元可以不仅可以仅包含三个数据而且具有8个单独的,稳定的可识别电子状态。

USC / AMES系统已经非常稳定,持有高达600小时的信息。“我们相信进一步的工作可以进一步提高稳定性,” the scientist said.

USC / AMES研究人员直径和大约2000纳米的氧化铟(In2O3)10纳米的纳米线合成,通过A“laser ablation”首先蒸发含铟化合物的方法,然后在催化方法中沉淀铟,其中线被自发地形式,随着铟与环境氧反应。

然后研究人员将纳米线放在石英层上,通过简单地将它们浸没在氧化还原材料的解决方案中,激活它们—各种测试了—将一层涂层自组装到电线上,产生晶体管。

通过使用不同的电压来刺激它们,可以不在一个激活状态下放置在一个激活状态下,但是三个不同的晶体管。“我们对每个内存操作的耐久性测试重复了几十个周期,发现所有水平都在测试的周期中区分,”作者写在他们的APL纸上。

在同样的论文中,他们还指出了装配过程— a cold one — “代表常用于硅闪存的通道热电子注入的显着偏离,”本文声称USC / AME过程需要较低的功率,并且本质上不太可能引入可能导致设备中误差的缺陷。

该团队除了周,除周,宇宙维特比工程研究生湄丽,博雷,大华张,儿子汉族,陶堂,夏磊·鲁,以及Zuqin Liu;和Wendy Fan,Sylvia Asano,Jie Han和Meya Meyyappan的Ames。粉丝,asano和汉’S Sunnyvale CA Consulting Comperation在合同到美国宇航局的贡献,由Eloret Corporation提供贡献。



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